میکروسکوپ AFM

میکروسکوپ AFMReviewed by جلالی on Aug 1Rating: 5.0

میکروسکوپ AFM

 
 
درباره همه چیز : میکروسکوپ های نیروی اتمی (AFM)، دسته گسترده ای از تجهیزات شناسایی در مقیاس نانو با عنوان میکروسکوپ های نیرویی را به خود اختصاص داده اند. امروزه دستگاههای تجاری متفاوتی با مبانی مشابه و حالات کاری مختلف عرضه شده اند که از نظر دقت و کیفیت تصاویر با یکدیگر تفاوت دارند. در این مقاله ضمن معرفی میکروسکوپ نیروی اتمی و نحوه عملکرد آن ، مدهای کاری مختلف و مزایا و معایب هرکدام مورد بررسی قرار می گیرد.
 
میکروسکوپ AFM
 
 
 
۱٫ مقدمه

گرد کارل بینیگ (GerdKarl Binnig) بر اساس طراحی های قبلی که با همکاری هاینرک روهرر (Heinrich Rohrer ) ، در آزمایشگاه تحقیقاتی زوریخ IBM، در جهت طراحی و ساخت میکروسکوپ تونلی روبشی، صورت داده بود، در سال ۱۹۸۶ میلادی با همکاری کلوین کوایت (CalvinQuate )و کریستف گربر (Christoph Geber) از دانشگاه استانفورد میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM)، را ارائه نمود. هدف او از این کار اندازه گیری نیروهای بسیار ناچیز (کمتر از
۱µN  )، بین نوک سوزن AFM و سطح نمونه مورد بررسی بود [۱, ۲].
پس از آنکه در سال ۱۹۸۱ میلادی ، میکروسکوپ تونلی رویشی (STM= scanning tunneling microscope) بوسیله گرهارد بینیگ (Gerd Binnig) و هاینرک روهرر (Heinrich Rohrer) اختراع شد، تلاشهای بسیاری بر اساس آن، در جهت توسعه روش های مشخصه یابی در مقیاس نانوصورت پذبرفت. درسال ۱۹۸۶، گرهارد بینیگ، بر اساس تجربیاتی که از ساخت میکروسکوپ تونلی روبشی بدست آورده بود، با همکاری کلوین کوات و کریستف گربر از دانشگاه استنفورد، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) را اختراع نمودند. تولیدات تجاری این محصولات، با میکروسکوپ STM در سال ۱۹۸۷ میلادی و میکروسکوپهای AFM، در ۱۹۸۹ میلادی کلید خورد. به دنبال اختراع STM و سپس AFM، تلاشهای بسیاری جهت مطالعه مورفولوژی و ساختار سطوح و فصل مشترک آن ها صورت گرفت و در بازه کوتاهی از زمان، بسیاری دیگر از ابزارهای شناسایی با مبانی مشابه درعملکرد، تحت عنوان کلی میکروسکوپ های پروبی روبشی، ساخته و به جهان علم ارائه گردیدند[۳-۵].
۲٫ دامنه کاربرد میکروسکوپ نیروی اتمی

در حالی که میکروسکوپ تونلی روبشی، تنها می تواند جهت مطالعه سطوحی که از لحاظ الکتریکی درجاتی از رسانایی دارند، استفاده شود، میکروسکوپ های نیروی اتمی می توانند جهت مطالعه هر نوع سطح مهندسی استفاده شوند؛ بنابراین می توان از آن جهت مطالعه انواع مواد رسانا، نیمه رسانا و نارسانا استفاده نمود.
امروزه AFM، یک کاوشگر سطحی محبوب برای اندازه گیری های توپوگرافیک و محاسبه نیروهای عمودی در مقیاس میکرو تا نانو شناخته شده است [۶].
همچنین از این دستگاه مشخصه یابی، می توان برای مطالعه خراش و سائیدگی و نیز اندازه گیری خواص مکانیکی الاستیک و پلاستیک (از قبیل میزان سختی جسم در برابر جسم فرورونده (indentation hardness ) و مدول الاستیسیته) استفاده نمود [۴, ۶-۱۹].
AFM در بسیاری از مطالعات، جهت نوشتار، دستکاری و جابجایی اتمهای منفرد زنون [۲۰]، مولکولها [۲۱]، سطوح سیلیکونی [۲۲] و پلیمری [۲۳] بکار گرفته شده اند. به علاوه این میکروسوپ ها جهت انواع نانولیتوگرافی و تولید نانوساختارها [۴, ۶, ۱۹, ۲۴-۲۶] و نانوماشینکاری استفاده شده اند.
میکروسکوپ های نیروی اتمی که برای اندازه گیری نیروهای عمودی و جانبی، طراحی شده اند، میکروسکوپ های نیروی جانبی (LFM)، یا میکروسکوپهای نیروی اصطکاکی (FFM) نامیده می شوند [۴, ۷, ۲۷-۳۱]. دسته ای از FFM ها از توانایی اندازه گیری نیروهای جانبی در دو جهت متعامد برخوردارند [۳۲-۳۵]. تعدادی از تحقیقات، طراحی های AFM و FFM را اصلاح کرده و بهبود داده است و این سیستمهای بهبود داده شده، جهت اندازه گیری چسبندگی و اصطکاک و نیروهای پیوندی در سطوح جامد و مایع در مقیاس نانو و میکرو بکار می روند [۶, ۸-۱۱, ۱۳, ۱۴, ۱۹, ۲۶, ۳۵-۳۹].
۳٫ سیستم دستگاهی میکروسکوپ روبشی نیروی اتمی

میکروسکوپ روبشی نیروی اتمی AFM سطح نمونه را توسط یک سوزن تیز، به طول ۲ میکرون و غالبا قطر نوک کمتر از ۱۰ نانومتر آنالیز می کند. سوزن در انتهای آزاد یک کانتیلور (انبرک= cantilever) به طول حدود ۱۰۰ تا ۴۵۰ میکرون قرار دارد[۴].
 

filereader.php?p1=main_ec6ef230f1828039e
 
شکل۱- اجزاء کلی میکروسکوپ نیروی اتمی و عملکرد آنها[۴۰]


نیروهای بین سوزن و سطح نمونه باعث خم شدن یا انحراف کانتیلور شده و یک آشکارساز میزان انحراف کانتیلور را در حالیکه سوزن سطح نمونه را روبش می کند یا نمونه در زیر سوزن روبش می شود، در سیستم هایی که نمونه حرکت روبشی را انجام می دهد، اندازه می گیرد. میتوان از انحراف کانتیلور برای ورودی یک مدار بازخورد استفاده کرد که روبشگر پیزو را در مواجهه با توپوگرافی سطح نمونه به گونه ای در جهت z بالا و پایین می برد که میزان انحراف کانتیلور ثابت بماند. اندازه گیری انحرافات کانتیلور به کامپیوتر امکان تولید تصویر توپوگرافی سطح را می دهد.

filereader.php?p1=main_1d665b9b1467944c1
شکل ۲- بلاک دیاگرام حلقه بازخوردی میکروسکوپهایAFM . متغیرهای KP،تناسب بدست آمده،Ki، انتگرال بدست آمده، Kd، مشتق بدست آمده و e، میزان خطاست[۴۱]

۳٫۱٫ آشکارسازی موقعیت کانتیلور 


در اغلب AFM هایی که امروزه عرضه می شود، موقعیت کانتیلور را با استفاده از روشهای اپتیکی تعیین می گردد. متداولترین آنها در شکل۳ نشان داده شده است. 

filereader.php?p1=main_7bc3ca68769437ce9
شکل ۳- نحوه آشکارسازی موقعیت کانتیلور با روش متداول درمیکروسکوپ نیروی اتمی[۴۲]
یک اشعه لیزری به پشت کانتیلور به سمت یک آشکارساز نوری حساس به موقعیت (PSPD= Position-sensitive photo detrector) منعکس می شود. با خم شدن کانتیلور محل اشعه لیزر روی آشکارساز تغییر کرده و PSPD میتواند جابجایی به کوچکی ۱۰ آنگستروم (۱ نانومتر) را اندازه گیری کند. نسبت فاصله بین کانتیلور و آشکارساز به طول کانتیلور به عنوان یک تقویت کننده مکانیکی عمل می کند. در نتیجه سیستم می تواند حرکت عمودی کمتر از آنگستروم نوک کانتیلور را اندازه گیری کند. روشی دیگر جهت آشکار سازی انحراف آشکارساز بر مبنای تداخل اپتیکی می باشد. 
یک تکنیک بسیار ظریف دیگر جهت آشکارسازی، ساختن کانتیلور از یک ماده پیزومقاومتی (piezoresistive) است به گونه ای که انحراف را بصورت سیگنال الکتریکی آشکار کند. در مواد پیزوی مقاومتی، تنش ناشی از تغییر فرم مکانیکی باعث تغییر مقاومت الکتریکی ماده می شود. برای آشکارسازی پیزومقاومتی نیازی به اشعه لیزر و PSPD نیست. وقتی که AFM انحراف کانتیلور را آشکار کرد، می تواند اطلاعات توپوگرافی را دردو حالت ارتفاع ثابت یا نیروی ثابت تولید کند. در جدول۱، خواص مربوط به مواد مورد استفاده رایج در ساخت کانتیلورها ذکر شده اند.
 
جدول۱- خواص مربوط به مواد مورد استفاده رایج در ساخت کانتیلورها[۵, ۲۷]
filereader.php?p1=main_83f1535f99ab0bf4e

۴. حالات کاری میکروسکوپ روبشی نیروی اتمی
در هنگام کار با میکروسکوپ نیروی اتمی، نیروهای مختلفی در انحراف کانتیلور AFM مشارکت می کنند. از جمله این نیروها می توان به نیروهای بین اتمی یا نیروهای واندروالس اشاره نمود. وابستگی نیروی واندوالس به فاصله سوزن و نمونه در شکل۴، نشان داده شده است. 

filereader.php?p1=main_13207e3d5722030f6
شکل ۴- نمودار انرژی پتانسیل پروب و نمونه [۴۲]
در شکل۴، دو حالت مربوط به دو ناحیه علامت گذاری شده است:

۱) حالت استاتیکی(DC-AFM)( یا حالت دفعی)
۲) حالت دینامیکی (AC-AFM)(یا حالت جذبی)
۱٫۵٫ حالت استاتیکی
در حالت استاتیکی کانتیلور در فاصله کمتر از چند آنگستروم از سطح نمونه قرار داده می شود. نیروی بین اتمی بین کانتیلور و نمونه نیروی دافعه است. سوزن به انتهای کانتیلوری با ثابت فنر کم (کمتر از ثابت فنر مؤثری که اتمهای نمونه را بهم متصل می کند)، وصل شده است و تماس فیزیکی ملایمی با نمونه برقرار می کند. هنگامی که روبشگر سوزن را به آرامی روی سطح نمونه روبش می کند، نیروی استاتیکی باعث خم شدن کانتیلور می شود تا بتواند تغییرات توپوگرافی سطح را دنبال کند.
با نزدیک کردن اتم ها، از سمت راست منحنی شکل ۴، ابتدا آنها یکدیگر را بطور ضعیفی جذب می کنند. این جاذبه افزایش می یابد تا جائیکه آنقدر اتمها بهم نزدیک می شوند که ابرهای الکترونی آنها بصورت الکترواستاتیکی شروع به دفع یکدیگر می کنند. با کاهش فاصله بین اتمی، این دافعه الکترواستاتیکی بطور فزاینده ای نیروهای جاذبه را تصعیف می کند.
وقتی که فاصله بین اتمها به یک یا دو آنگستروم، حدود طول یک پیوند شیمیایی، می رسد، نیرو صفر می شود. در نتیجه نیروی دافعه واندروالس تقریبا با هر نیرویی که بخواهد اتمها را به هم نزدیکتر کند، مقابله می نماید. در چنین فاصله هایی کانتیلور از طریق سوزن به نمونه فشار می آورد و به جای اینکه اتمهای سوزن به اتمهای نمونه نزدیکتر شوند، کانتیلور خم می گردد. 
در صورت وجود کانتیلور خیلی مقاوم نیروی زیادی به روی نمونه اعمال می گردد و احتمالا سطح نمونه تغییر فرم می یابد که در نانولیتوگرافی (nanolithography )مورد استفاده قرار می گیرد.۱٫۱٫۵ حالت ارتفاع ثابت
در حالتی که ارتفاع روبشگر پیزو در حین روبش ثابت است، تغییرات انحراف کانتیلور می تواند مستقیما برای تولید اطلاعات توپوگرافی استفاده شود. از این حالت، اغلب برای ایجاد تصاویر در مقیاس اتمی از سطوحی که در حد اتمی مسطح هستند، استفاده می گردد. در اینجا انحرافات کانتیلور و بنابراین تغییرات در نیروی اعمالی، کوچک است. حالت ارتفاع ثابت برای ثبت تصاویر همزمان (Real time) سطوح در حال تغییر، که سرعت بالای روبش ضروری است، مورد نیاز است.۲٫۱٫۵٫ حالت نیروی ثابت
می توان از انحراف کانتیلور برای ورودی یک مدار بازخورد استفاده کرد که روبشگر پیزو را در مواجهه با توپوگرافی سطح نمونه به گونه ای در جهت z بالا و پایین می برد که میزان انحراف کانتیلور ثابت بماند. در این مورد، تصویر از حرکت روبشگر پیزو تولید می شود. با ثابت نگهداشتن انحراف کانتیلور، کل نیروی اعمالی بر نمونه ثابت خواهد بود. در حالت نیروی ثابت، سرعت روبش با زمان واکنش مدار بازخورد محدود می شود، ولی کل نیروی اعمالی توسط سوزن بر نمونه به خوبی کنترل می گردد. برای بسیاری از کاربردها، حالت نیروی ثابت ترجیح داده می شود.

۳٫۱٫۵٫ انواع نیروهای موجود در عملیات روبش
میکروسکوپ های نیروی اتمی در حین کار با نیروهایی نظیر نیروهای کوتاه برد، الکترواستاتیک، موئینگی و … روبرو هستند. بعنوان مثال در زیر به دو نیرویی که علاوه بر نیروی دافعه واندروالس، در حین عملیات AFM استاتیکی حضور دارند، اشاره می شود:

۱٫۳٫۱٫۵٫ نیروی اعمالی توسط کانتیلور
نیرویی که توسط خود کانتیلور اعمال می شود، مانند نیروی یک فنر فشرده است. اندازه و علامت ( جاذبه یا دافعه) نیروی کانتیلور به انحراف کانتیلور و ثابت فنر آن بستگی دارد.
۱۰N

۲٫۳٫۱٫۵٫ نیروی موئینگی (capillary)


نیروی موئینگی معمولا توسط لایه نازک آب(که ممکن است از رطوبت محیط ناشی گردد) اعمال می شود. نیروی موئینگی هنگامی بوجود می آید که لایه ای از آب دور سوزن ایجاد گردد. در این حالت نیروی جاذبه قوی حدود   
(۸-)۱۰ نیوتن را پدیدار می شود که در این حالت سوزن را در تماس با سطح نگه می دارد. بزرگی نیروی موئینگی به فاصله سوزن تا نمونه بستگی دارد. تا زمانی که سوزن با نمونه تماس دارد، نیروی موئینگی ثابت می باشد. همچنین فرض میشود که لایه آب تقریبا همگن است.
در نتیجه نیروی متغیر در AFM استاتیکی باید توسط نیروی دافعه واندروالس جبران گردد. اندازه نیروی کل اعمال شده بر نمونه از (۸-)۱۰ نیوتن ( در شرایطی که تقریبا آب سوزن را به طرف نمونه می کشد و کانتیلور آن را از نمونه می راند) تا محدوده معمول تر (۶-)۱۰ تا 
 (۷-)۱۰  نیوتن تغییر می کند[۴]. ۵٫۲٫ حالت دینامیکی

میکروسکوپ های نیروی اتمی دینامیکی، یکی از چند تکنیک کانتیلور ارتعاشی (vibrating) است که در آن کانتیلور AFM در نزدیکی سطح نمونه ارتعاش می کند. در حالت دینامیکی کانتیلور در فاصله چند ده تا چند صد آنگستروم از سطح نمونه قرار داده می شود و در این حالت نیروی بین اتمی بین کانتیلور و نمونه ( عمدتا به دلیل برهمکنشهای واندروالس دوربرد (Long-range))، نیروی جاذبه است. فاصله حدود چند ده تا چند صد آنگستروم در منحنی واندروالس، به عنوان منطقه دینامیکی یا جذبی مشخص شده است. 
در حالت دینامیکی سیستم کانتیلور را در نزدیکی فرکانس رزونانس آن (۴۰۰-۱۰۰ هرتز) و دامنه چند دهم آنگستروم می لرزاند. سپس تغییرات فرکانس رزونانس یا دامنه لرزش با نزدیک شدن سوزن به سطح نمونه اندازه گیری می شود. حساسیت این روش، دستیابی به قدرت تفکیک عمودی زیر آنگستروم تصویر را (مانند AFM های استاتیکی) فراهم می کند.
رابطه بین فرکانس کانتیلور و تغییرات توپوگرافی نمونه را می توان بدینگونه توضیح داد:
فرکانس رزونانس کانتیلور متناسب با جذر ثابت فنر آن تغییر می کند. علاوه بر این ثابت فنر کانتیلور با گرادیان اعمال نیرو بر کانتیلور تغییر می کند. بالاخره گرادیان نیرو که از منحنی نیرو در برابر فاصله مشتق می شود، با فاصله سوزن تا نمونه تغییر می کند. بنابراین تغییر فرکانس رزونانس کانتیلور می تواند به عنوان معیاری برای تغییر نیرو استفاده شود که به نوبه خود تغییرات فاصله تا نمونه (یا توپوگرافی نمونه) را منعکس می کند.
در حالت AFM دینامیکی ، سیستم، فرکانس رزونانس یا دامنه ارتعاش کانتیلور را اندازه گیری می کند و آن را به کمک یک سیستم بازخورد که روبشگر پیزو را بالا و پایین می برد، ثابت نگه می دارد.
با ثابت نگهداشتن فرکانس رزونانس یا دامنه، سیستم متوسط فاصله سوزن تا نمونه را نیز ثابت نگه می دارد. همانند AFM استاتیکی(در حالت نیروی ثابت)، حرکت روبشگر پیزو برای تولید اطلاعات استفاده می شود. 
۵٫ مزایا و معایب حالات استاتیکی و دینامیکی

مزایای میکروسکوپ های نیروی اتمی دینامیکی بدین صورت می باشد که توپوگرافی نمونه بدون تماس یا با تماس خیلی کم بین سوزن و نمونه اندازه گیری می شود. کل نیروی بین سوزن و نمونه در حالت دینامیکی بسیار کم است(معمولا حدود  (۱۲-)۱۰ نیوتن). این نیروی کم مزیتی، برای مطالعه نمونه های نرم یا الاستیک به شمار می رود. همچنین نمونه هایی مانند ویفرهای سیلیسی (Silicon wafers ) از طریق تماس با سوزن آلوده نمی شوند. از طرف دیگر به دلیل اینکه نیروی بین سوزن و نمونه در حالت دینامیکی کم است، اندازه گیری آن مشکل تر از نیروی چندین بار بزرگتر حالت استاتیکی است. علاوه بر این کانتیلور های استفاده شده برای AFMهای دینامیکی باید نسبت به کانتیلور های AFMهای استاتیکی سفت تر باشند، زیرا کانتیلور نرم می تواند به طرف سمت سطح نمونه کشیده شده و در تماس با آن قرار گیرد. از طرفی، حالت دینامیکی برای اندازه گیری نمونه های نرم بر حالت استاتیکی ترجیح داده می شود.
مقدار کم نیرو و سفت بودن کانتیلورها، در حالت دینامیکی، هر دو عواملی هستند که سیگنال AFM دینامیکی را کوچک می کنند. از همین رو اندازه گیری تغییرات در سیگنال مشکل است و نیاز به یک روش آشکارسازی AC حساس می باشد.
در مورد حالت دینامیکی، مشکل از بین رفتن سوزن یا نمونه، که گاهی بعد از اسکنهای فراوان توسط حالت استاتیکی مشاهده می شود، وجود ندارد.
در مورد نمونه های صلب ممکن است تصاویر AFM استاتیکی و دینامیکی به یک گونه بنظر برسند. ولی اگر برای مثال چند لایه آب روی سطح یک نمونه صلب میعان کرده باشد، ممکن است تصاویر کاملا متفاوت باشند. AFM که در حالت استاتیکی کار می کند می تواند به این لایه نفوذ کند و سطح زیر آن را تصویر کند، در حالیکه در حالت AFM دینامیکی، سطح مایع را تصویر می کند.
جدول۲- نقاط قوت و ضعف حالات کاری AFMاز [۴۲]
filereader.php?p1=main_0f826a89cf68c399c

نتیجه گیری
در میکروسکوپ نیرو اتمی نیروی بین سوزن روبشگر و سطح نمونه که باعث خم شدن کانتیلور می شود، توسط آشکارساز اندازه گیری می شود. از این میکروسوپ ها علاوه بر اینکه می توان جهت انواع نانولیتوگرافی و تولید نانوساختارها و نانوماشینکاری استفاده کرد، برای مطالعه خواص مکانیکی، سایش یا خراش و …نیز بکار می روند. این میکروسکوپ ها با دو حالت کاری استاتیکی(تماسی) و دینامیکی(غیر تماسی) کار می کنند. در حالت استاتیکی، کانتیلور در فاصله کم از سطح نمونه قرار دارد که هنگام روبش سوزن روی سطح نمونه، نیروی استاتیکی باعث خم شدن کانتیلور می شود. در این حالت نیروی بین کانتیلور و نمونه، نیروی دافعه است. حالت استاتیکی با دو مد کاری ارتفاع ثابت و نیرو ثابت کار می کند. در حالت دینامیکی، فرکانس رزونانس کانتیلور می تواند به عنوان معیار تغییر نیرو(یا تغییر فاصله سوزن تا نمونه) استفاده شود. در این حالت نیروی اتمی بین کانتیلور و نمونه، از نوع جاذبه است. در این حالت بعلت عدم تماس با نمونه های نرم، تخریبی ایجاد نمی شود اما نسبت به حالت تماسی، سرعت روبش کمتری دارد.

 

منابـــــع :

  • ۱٫ G. Binnig, C.F. Quate, C. Gerber, Atomic force microscope, Phys. Rev. Lett. 56, 930–۹۳۳(۱۹۸۶).
  • ۲٫ G. Binnig, C. Gerber, E. Stoll, T.R. Albrecht, C.F. Quate, Atomic resolution with atomic force microscope, Europhys. Lett. 3, 1281–۱۲۸۶ (۱۹۸۷).
  • ۳٫ http://edu.nano.ir/index.php/articles/show/81
  • ۴٫ علیرضاذوالفقاری،محمدالماسی،پیروزمرعشی،مهردادنجبا،امیدسیفی، “میکروسکوپ پروبی روبشی آزمایشگاهی روی نوک سوزن”،تهران،پیکنور، (۱۳۸۵).
  • ۵٫ Bharat Bhushan, “Springer Handbook of Nanotechnology”, USA, Springer, (2004).
  • ۶٫ J.A. Stroscio, W.J. Kaiser (Eds.), Scanning Tunneling Microscopy (Academic, Boston 1993) 102. H.J. Guntherodt, D. Anselmetti, E. Meyer (Eds.), Forces in Scanning Probe Methods (Kluwer, Dordrecht 1995).
  • ۷٫ H.-J. Guentherodt, R. Wiesendanger (Eds.), “Scanning Tunneling Microscopy”, Vol. I, II, and III, Springer, (1993, 1995, 1996).
  • ۸٫ B. Drake, C.B. Prater, A.L. Weisenhorn, S.A.C. Gould, T.R. Albrecht, C.F. Quate, D.S. Cannell, H.G. Hansma, P.K. Hansma, Imaging crystals, polymers and processesin water with the atomic force microscope, Science 243, 1586–۱۵۸۹ (۱۹۸۹).
  • ۹٫ B. Bhushan, Principles and Applications of TribologyWiley, New York (1999).
  • ۱۰٫ B. Bhushan, Modern Tribology Handbook – Vol. 1: Principles of Tribology (CRC, Boca Raton 2001).
  • ۱۱٫B. Bhushan, Introduction to Tribology (Wiley, New York 2002).
  • ۱۲٫ G.Meyer, N.M. Amer, Novel optical approach to atomic force microscopy, Appl. Phys. Lett. 53, 1045–۱۰۴۷ (۱۹۸۸).
  • ۱۳٫ B. Bhushan, S. Sundararajan, Micro-/nanoscale friction and wear mechanisms of thin films using atomic force and friction force microscopy, Acta Mater. 46, 3793–۳۸۰۴ (۱۹۹۸).
  • ۱۴٫ N.A. Burnham, R.J. Colton, Measuring the nanomechanical properties and surface forces of materials using an atomic force microscope, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2906–۲۹۱۳ (۱۹۸۹).
  • ۱۵٫ P. Maivald, H.J. Butt, S.A.C. Gould, C.B. Prater, B. Drake, J.A. Gurley, V.B. Elings, P.K. Hansma, Using force modulation to image surface elasticities with the atomic force microscope, Nanotechnology 2, 103–۱۰۶ (۱۹۹۱).
  • ۱۶٫ B. Bhushan, A.V. Kulkarni, W. Bonin, J.T. Wyrobek, Nano/picoindentation measurements using capacitive transducer in atomic force microscopy, Philos. Mag. A 74, 1117–۱۱۲۸, (۱۹۹۶).
  • ۱۷٫ B. Bhushan, V.N. Koinkar, Nanoindentation hardness measurements using atomic force microscopy, Appl. Phys. Lett. 75, 5741–۵۷۴۶ (۱۹۹۴).
  • ۱۸٫ D. DeVecchio, B. Bhushan, Localized surface elasticity measurements using an atomic force microscope, Rev. Sci. Instrum. 68, 4498–۴۵۰۵ (۱۹۹۷).
  • ۱۹٫ B. Bhushan, Micro-/nanotribology and itsapplications to magnetic storage devices and MEMS, Tribol. Int. 28, 85–۹۶ (۱۹۹۵).
  • ۲۰٫ D.M. Eigler, E.K. Schweizer, Positioning single atoms with a scanning tunnelling microscope, Nature 344, 524–۵۲۸ (۱۹۹۰).
  • ۲۱٫ A.L. Weisenhorn, J.E. MacDougall, J.A.C. Gould, S.D. Cox, W.S. Wise, J. Massie, P.Maivald, V.B. Elings, G.D. Stucky, P.K. Hansma, Imaging and manipulating of molecules on a zeolite surface with an atomic force microscope, Science 247, 1330–۱۳۳۳ (۱۹۹۰).
  • ۲۲٫ I.W. Lyo, P. Avouris, Field-induced nanometer-to-atomic-scale manipulation of silicon surfaces with the STM, Science 253, 173–۱۷۶ (۱۹۹۱).
  • ۲۳٫ O.M. Leung, M.C. Goh, Orientation ordering of polymers by atomic force microscope tip-surface interactions, Science 225, 64–۶۶ (۱۹۹۲).
  • ۲۴٫ A.Majumdar, P.I. Oden, J.P. Carrejo, L.A. Nagahara, J.J. Graham, J. Alexander, Nanometer scale lithography using the atomic force microscope, Appl. Phys. Lett. 61, 2293–۲۲۹۵ (۱۹۹۲).
  • ۲۵٫ L. Tsau, D. Wang, K.L. Wang, Nanometer scale patterning of silicon(100) surface by an atomic force microscope operating in air, Appl. Phys. Lett. 64, 2133–۲۱۳۵ (۱۹۹۴).
  • ۲۶٫ E. Delawski, B.A. Parkinson, “Layer-by-layer etching of two-dimensional metal chalcogenides with the atomic force microscope”, J. Am. Chem. Soc. 114, 1661–۱۶۶۷ (۱۹۹۲).
  • ۲۷٫ B. Bhushan, O. Marti, “Scanning Probe Microscopy – Principle of Operation, Instrumentation, and Probes” , Nanotribology and Nanomechanics, Springer, (2011).
  • ۲۸٫ G. Binnig, H. Rohrer, Scanning tunnelling microscopy, Surf. Sci. 126, 236–۲۴۴ (۱۹۸۳).
  • ۲۹٫ R.L. Nicolaides, W.E. Yong, W.F. Packard, H.A. Zhou, Scanning tunneling microscope tip structures, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 445–۴۴۷ (۱۹۸۸).
  • ۳۰٫ J.P. Ibe, P.P. Bey, S.L. Brandon, R.A. Brizzolara, N.A. Burnham, D.P. DiLella, K.P. Lee, C.R.K. Marrian, R.J. Colton, On the electrochemical etching of tips for scanning tunneling microscopy, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 3570–۳۵۷۵ (۱۹۹۰).
  • ۳۱٫ K.S. Birdi, “Scanning probe microscopes : applications in science and technology”,USA, (2003).
  • ۳۲٫ J. Stroscio, W.J. Kaiser (Eds.),”Scanning Tunneling Microscopy”, Academic Press, (1993).
  • ۳۳٫ D. Bonnell, (Ed.),”Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy: Theory, Techniques, and Applications”, 2nd ed., Wiley-VCH, New York, (2001).
  • ۳۴٫ R. Wiesendanger, “Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy: Methods and Applications”,Cambridge University Press, (1998).
  • ۳۵٫ V.N. Koinkar, B. Bhushan, Microtribological studies of unlubricated and lubricated surfaces using atomic force/friction force microscopy, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2378–۲۳۹۱ (۱۹۹۶).
  • ۳۶٫ Paolo Samori, “Scanning Probe Microscopies Beyond Imaging”, WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, (2006).
  • ۳۷٫ M. Binggeli, R. Christoph, H.E. Hintermann, J. Colchero, O. Marti, Friction force measurements on potential controlled graphite in an electrolytic environment, Nanotechnology 4, 59–۶۳ (۱۹۹۳).
  • ۳۸٫ K. Yamanaka, H. Ogisco, O. Kolosov, Ultrasonic force microscopy for nanometer resolution subsurface imaging, Appl. Phys. Lett. 64, 178–۱۸۰ (۱۹۹۴).
  • ۳۹٫ C.D. Frisbie, L.F. Rozsnyai, A. Noy,M.S.Wrighton, C.M. Lieber, Functional group imaging by chemical force microscopy, Science 265, 2071–۲۰۷۴ (۱۹۹۴).
  • ۴۰٫ http://www.natsyco.com/
  • ۴۱٫ http://depts.washington.edu/nanolab/
  • ۴۲٫ A. V.Clemente, K. Gloystein, N. Frangis, “Principles ofAtomic Force Microscopy(AFM)”, Physics of Advanced Materials Winter School, (2008).
 


سایتی به وسعت همه چیز که در اون سعی میکنم تجربیات و مطالب در خور توجه رو که دوستشون دارم قرار بدم و امیدوارم با پیشنهادات و انتقادات خودتون من رو راهنمایی کنید. با تشکر


پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

دوست داری سایت خودتو داشته باشی همین الان این کار رو بکن
امتیاز دهید:
به این صفحه

به این سایت
برای محبوب کردن سایت روی 1+ کلیک کنید